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Corsair DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher (schwarz, CMG32GX4M2D3600C18, Vengeance RGB RS, INTEL XMP)

Corsair DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, CMG32GX4M2D3600C18, Vengeance RGB RS, INTEL XMP
Corsair DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, CMG32GX4M2D3600C18, Vengeance RGB RS, INTEL XMP
Corsair DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, CMG32GX4M2D3600C18, Vengeance RGB RS, INTEL XMP
Abb. kann vom Original abweichen.
Corsair DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, CMG32GX4M2D3600C18, Vengeance RGB RS, INTEL XMP
Corsair DIMM 32 GB DDR4-3600 (2x 16 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher schwarz, CMG32GX4M2D3600C18, Vengeance RGB RS, INTEL XMP
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Produktbeschreibung

Das Corsair CMG32GX4M2D3600C18 ist ein Kit aus zwei 16-GB-DDR4-3600-Speichermodulen (PC4-28800) aus der Vengeance RGB RS Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die 288-Pin Module unterstützen eine Latenz von 18-22-22-42 bei 3200 MHz und benötigen 1,35 Volt Spannung. Die Vengeance RGB RS Serie verfügt über maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper mit einstellbarer LED-Beleuchtung. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt.Art.-Nr.: 1778268

Details

TypSDRAM-DDR4
Farbeschwarz
EAN0840006649021
Hersteller-Nr.CMG32GX4M2D3600C18
SerieVengeance RGB RS
Kapazität32 GB (2 x 16 GB)
Anzahl2 Stück
BauformDIMM
BeleuchtungFarbeRGB
kompatibelICUE
ProfileINTEL XMP (Version 2.0)
Anschluss288-Pin
Spannung1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)
StandardDDR4-3600 (PC4-28800)
Physikalischer Takt 1800 MHz
TimingsCAS Latency (CL)18
RAS-to-CAS-Delay (tRCD)22
RAS-Precharge-Time (tRP) 22
Row-Active-Time (tRAS)42
Weitere InformationenDDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".